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场发射环?#25104;?#25551;电子显微镜 检测服务中心面向集成电路、电子元器件、半导体、PCBA、LED、汽车电子、新材料等,为客户提供包括无损分析、失效分析、物理性能测试、微纳分析、可靠性与寿命评估、工艺制程等在内的技术解决方案。


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型号:Quanta 400 FEG

厂家:美国FEI

主要用途1.可在高真空、低真空(130Pa)、环境真空(4000Pa)下观察导电和不导电样品,对材料的表面和横截面的微观形貌、成分进行分析,广泛应用于金属材料、高分子材料、半导体材料、纳米材料等领域;
2.配备的Apollo40 SDD能谱无需液氮?#35780;洌?#21487;进行快速的点、线、面分布分析,获得能谱的mapping图谱;
3.其样品室直径达284 mm,对于直径达四英寸硅片可以直接进行测试,无需对样?#26041;?#34892;分割处理;
4.附件MonoCL3+阴极荧光谱仪不仅可以测量材料微区在电子束激发下的发光光谱,而且可以进行成像 显示,从而可以对样品的禁带宽度、杂质缺陷等进行表征,获取更为丰富的信息;
5.可以测量材料的电子束感生电流(EBIC),从而获得材料内部结构缺陷等信息,与阴极荧光测量互为补充。
主要配置1. MonoCL3+阴极荧光谱仪,波长范围160-930nm2.电子束感生电流(EBIC)
3.STEM探测器4.Apollo 40 SDD能谱仪
5.液氮冷台,温度范围为-185℃- +200℃6.液氦冷台,温度范围为6K-300K
性能指标1.肖特基场发射电子枪2.加速电压:200V-30 kV
3.放大倍数:12-2,000,0004.分辨率
高真空- 0.8nm at 30kV (STEM)- 1.2nm at 30kV (SE)
- 2.5nm at 30kV (BSE)- 3.0nm at 1kV (SE)
低真空- 1.5nm at 30kV (SE)- 2.5nm at 30kV (BSE)
- 3.0nm at 3kV (SE)
环境真空- 1.5nm at 30kV (SE)
样品室284mm,5轴马达台
EDS分辨率优于136 eV,可分析包括B5以上的所有元素

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